■募集の職務内容
(雇入れ直後)
<先端パワーデバイスに関する研究>
カーボンニュートラルなど持続可能なモビリティ社会の実現に繋がるワイドバンドギャップ半導体(SiC,GaN)などによるパワーデバイスの高性能化・高信頼化を目指した研究開発に取り組む。
設計(シミュレーション)、試作・評価などを通じた技術革新により早期社会実装・普及に貢献する。
(変更の範囲)研究及び所運営にかかる業務全般
■必須となる能力・経験・具体的な資格
・IGBT/MOSFET、パワーICなどパワーデバイスの研究開発経験
・半導体デバイスシミュレーション(TCAD)の実務経験
・半導体プロセス、デバイス…
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- 職種
- 研究職 Research positions
- 勤務地
- (雇入れ直後)長久手本社:愛知県Aichi Pref. (変更の範囲)東京キャンパス:東京 Tokyo